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Si7386DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.020
0.016
0.012
2200
1760
1320
C iss
0.008
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
880
0.004
0.000
440
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
50
0
4
8
12
16
20
6
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
5
4
3
2
1
0
V DS = 15 V
I D = 19 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 10 V
I D = 19 A
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
60
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.030
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.024
T J = 150 °C
10
1
T J = 25 °C
0.018
0.012
0.006
0.000
I D = 19 A
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 73108
S-80439-Rev. C, 03-Mar-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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